AI帶動記憶體產能大戰！SK海力士傳結盟英特爾赴美設廠，2大可能方案一次看
- 原文標題：AI帶動記憶體產能大戰！SK海力士傳結盟英特爾赴美設廠，2大可能方案一次看
- 作者：數位時代 BusinessNext（JSON-LD author；整理．編輯／李先泰，初稿 AI 編撰）
- 發布時間：2026-09-17T12:00:00+08:00（JSON-LD datePublished／dateModified）
- 來源：數位時代 BusinessNext
- 原始資料來源：《路透》（Reuters，9/16 獨家報導）、《CNBC》、SK海力士官方聲明與官網回應、英特爾俄亥俄投資公告、韓國《中央日報》7 月報導（延伸閱讀另含華邦電收購英飛凌記憶體事業報導）
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原文擷取
韓國記憶體大廠SK海力士（SK Hynix）正與英特爾（Intel）洽談一項協議，可能在美國本土生產記憶體晶片。《路透》9月16日引述三名知情人士獨家報導，雙方討論的方案有兩種：一是SK海力士租用英特爾在俄亥俄州規畫多年的晶圓廠部分設施，二是與英特爾及急於鎖定記憶體供應的大型雲端業者合資。知情人士強調談判仍屬探索性質、尚無任何決定，但消息傳出後，英特爾股價開盤一度大漲5.5%、終場收漲4.03%，SK海力士在首爾收漲4.1%。兩種方案，雙方都說沒定案俄亥俄廠是英特爾2022年1月宣布的計畫，首期投資逾200億美元（約新台幣6,380億元）興建兩座晶圓廠，園區全數擴建後總投資可能達1,000億美元（約新台幣3.19兆元）。原定2025年投產，如今兩座廠的完工時程已分別延到2030年與2031年。SK海力士若真的租用其中一部分，等於替這座延宕多年的廠區引入合作夥伴，但這只是討論中的方案之一。第二種方案則把雲端業者拉進來：AI資料中心的投資熱潮讓記憶體嚴重短缺，大型雲端公司有強烈動機用合資綁住供應。不過《路透》未能查出SK海力士可能在俄亥俄生產哪一類晶片。該公司產品線涵蓋DRAM、NAND快閃記憶體，也是HBM（高頻寬記憶體，AI加速器旁負責高速餵資料的關鍵零件）的龍頭供應商。雙方回應都很保守。SK海力士對《路透》表示，正在「檢視包括增設生產基地在內的各種措施，以強化記憶體事業競爭力」，但「現階段沒有任何事項定案」；同日再於官網發布聲明，強調與報導提及的特定公司合作、在美國生產記憶體晶片都未定案，對兩種方案「都尚未做出決定」。英特爾拒絕評論「猜測」，只說俄亥俄廠區的投資持續進行。值得注意的是，這不是兩家公司第一次被連在一起。7月下旬韓國《中央日報》曾報導SK海力士計畫「收購」俄亥俄廠，SK海力士隨即透過韓國交易所公告否認，稱該報導「並無事實依據」。這次《路透》講的是租用或合資，而且是首次揭露交易可能的架構，與收購是兩回事。為什麼是英特爾，為什麼是現在對英特爾來說，這筆交易的價值不只是收租。《CNBC》指出，替代工業務找到指標客戶是執行長陳立武（Lip-Bu Tan）策略的核心支柱。《路透》則點出，美國政府持有英特爾部分股權，交易若成局，可替這家陷入苦戰的公司減輕財務壓力，也會是川普政府施壓晶片商赴美設廠的一大戰果。SK海力士這端的壓力同樣不小。SK集團董事長崔泰源（Chey Tae-won）7月對記者說，公司面臨來自客戶與各國巨大的壓力與遊說，「我認為我們需要在美國建一座工廠。如果可能的話，我相信我們應該建」（《路透》引述）。截至9月中，SK海力士在美國只有一座已動工的先進封裝廠：8月27日在印第安納州動土，投資逾40億美元（約新台幣1,276億元），官方預計2029年下半年量產，執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）表示該廠將在2030年前讓印第安納成為「美國的HBM關鍵生產基地」。換言之，SK海力士在美國只走到封裝這一步，晶圓製造仍是空白。前身海力士（Hynix）曾在奧勒岡州尤金（Eugene）設有晶圓廠，2008年因記憶體價格大跌而關閉，此後在美國再無晶圓廠。華府的關稅大棒是另一個推力。美國商務部長盧特尼克（Howard Lutnick）曾放話，未承諾擴大在美生產的韓國與台灣晶片業者，最高可能面臨100%關稅。但推力的反面是成本。兩名知情人士向《路透》表示，在美國製造半導體的人力與營建費用遠高於韓國，且供應鏈多集中在亞洲，進一步推高在美生產的成本。最大的變數在首爾比成本更難處理的是韓國政府的態度。三名知情人士都指出，若協議涉及HBM甚至DRAM等先進記憶體，可能遭首爾反對，因為這些都被列為敏感技術。韓國貿易主管機關回覆《路透》詢問時表示，是否赴美生產由公司自行決定，但若涉及「國家核心技術」，就必須依《產業技術保護法》接受審查。首爾另有自己的盤算。韓國政府正催促SK海力士與三星電子（Samsung Electronics）加速在韓國西南部興建晶片製造群聚；同時，韓國2025年為換取美國降低關稅而承諾的3,500億美元（約新台幣11.2兆元）對美投資，其中1,500億美元已指定投入造船，剩下2,000億美元用途未定，兩國仍在拉鋸。兩名知情人士說，這讓SK海力士處境尷尬：首爾想把它的任何美國投資當成談判籌碼，華府則不斷施壓它盡快承諾擴大美國布局。美國商務部未回應《路透》的評論請求。一名知情人士補充，SK海力士也可能考慮其他交易架構。延伸閱讀：華邦電砸354億元買下英飛凌兩大記憶體事業！為何鎖定NOR Flash、F-RAM？6題一次看懂資料來源：《路透》、《CNBC》、《科技新報》、SK海力士官方聲明、SK海力士印第安納動土公告、海力士尤金廠關閉公告、英特爾俄亥俄投資公告本文初稿為AI編撰，整理．編輯/ 李先泰
Source notes / claim ledger
- 來源分類： secondary synthesis（BusinessNext 依《路透》9/16 獨家報導與《CNBC》整理；SK海力士官方聲明、英特爾俄亥俄投資公告為文章引述之第一方材料，本輪未直接讀取）。
- SK海力士正與英特爾洽談在美國生產記憶體晶片，兩種方案：租用俄亥俄州晶圓廠部分設施，或與英特爾及大型雲端業者合資；談判仍屬探索性質、尚無決定： partially-supported（《路透》三名知情人士獨家報導經 BusinessNext 轉述；SK海力士官網聲明「都尚未做出決定」為文章引述）。
- 消息傳出後英特爾股價開盤一度大漲 5.5%、終場收漲 4.03%，SK海力士在首爾收漲 4.1%： partially-supported（文章層級市場數據，未核對交易所行情）。
- 俄亥俄廠：英特爾 2022 年 1 月宣布、首期投資逾 200 億美元（約新台幣 6,380 億元）、兩座晶圓廠全數擴建後總投資可能達 1,000 億美元（約新台幣 3.19 兆元）；原定 2025 年投產，完工時程已分別延到 2030 與 2031 年： partially-supported（英特爾公告經文章轉述，未核對原始公告）。
- SK海力士產品線涵蓋 DRAM、NAND 快閃記憶體並為 HBM 龍頭供應商；《路透》未能查出可能在俄亥俄生產哪一類晶片： supported as article account（公司產品線為公開事實之陳述；晶片類型維持 unresolved）。
- SK海力士回應：正「檢視包括增設生產基地在內的各種措施」，現階段無任何事項定案；英特爾拒絕評論「猜測」、稱俄亥俄廠區投資持續進行： supported as article account（公司口徑經文章引述）。
- 7 月下旬韓國《中央日報》曾報導 SK海力士計畫「收購」俄亥俄廠，SK海力士透過韓國交易所公告否認；本次為租用或合資、首次揭露交易可能架構： partially-supported（前次報導與否认公告經文章轉述）。
- 對英特爾的價值：替代工業務找到指標客戶是執行長陳立武策略核心支柱（《CNBC》）；美國政府持有英特爾部分股權，成局可減輕財務壓力並成為川普政府施壓晶片商赴美設廠的戰果： partially-supported（《CNBC》／《路透》分析經文章轉述）。
- SK集團董事長崔泰源 7 月表示「我們需要在美國建一座工廠」；截至 9 月中 SK海力士在美國僅有一座已動工的先進封裝廠：8/27 印第安納州動土、投資逾 40 億美元（約新台幣 1,276 億元）、官方預計 2029 下半年量產，郭魯正稱 2030 年前讓印第安納成為「美國的 HBM 關鍵生產基地」： partially-supported（公司口徑與動土公告經文章轉述）。
- 前身海力士曾在奧勒岡州尤金設晶圓廠、2008 年因記憶體價格大跌關閉，此後在美國再無晶圓廠： supported as article account（歷史事實陳述）。
- 美國商務部長盧特尼克曾放話：未承諾擴大在美生產的韓國與台灣晶片業者最高可能面臨 100% 關稅；兩名知情人士稱美國製造半導體的人力與營建費用遠高於韓國、供應鏈多集中在亞洲： partially-supported（官員口徑與知情人士說法經文章轉述）。
- 最大變數在首爾：若協議涉及 HBM 甚至 DRAM 等先進記憶體可能遭韓國政府反對（敏感技術）；韓國貿易主管機關稱涉「國家核心技術」須依《產業技術保護法》審查；韓國 2025 年對美投資承諾 3,500 億美元中 1,500 億已指定造船、剩餘 2,000 億用途未定： partially-supported（政府口徑與知情人士說法經文章轉述）。
- 證據界線： 本輪未讀取《路透》原文、《CNBC》報導、SK海力士官方聲明／官網公告或英特爾俄亥俄投資公告；所有內容維持 BusinessNext／Reuters attribution，無獨立 human verification。