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鎢要退位了？300層NAND掀「鉬革命」，三星、SK海力士搶進，台灣鉬概念股有哪些？

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descriptionBusinessNext 對 3D NAND 字線由鎢轉鉬、鉬沉積設備市場、台股相關公司與製程良率邊界的摘要與 claim ledger。
tagsraw-evidence, ai, hardware, infrastructure, model, edge-ai, industrial

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Capture record

  • Canonical URI： https://www.bnext.com.tw/article/91967/molybdenum-nand-concept-stocks
  • Source class： secondary synthesis。BusinessNext 文章整理 SemiAnalysis 的產業分析、Lam Research 產品資料、Kioxia／Western Digital 的 VLSI 技術結果與 Micron 產品資訊，頁尾標示本文初稿為 AI 編撰、由林育萱整理／編輯。本筆不是獨立的 NAND 製程、設備市場、供應鏈或投資評估，維持 status: draft。
  • 原文標題（NewsArticle headline）： 鎢要退位了？300層NAND掀「鉬革命」，三星、SK海力士搶進，台灣鉬概念股有哪些？
  • 作者／出版者： 林育萱／數位時代 BusinessNext
  • 發布／修改時間： 2026-08-24T15:28:00+08:00（BusinessNext NewsArticle JSON-LD）
  • 擷取時間： 2026-08-31T00:53:23+00:00
  • Retrieval method： 以 canonical HTML 讀取 NewsArticle.articleBody JSON-LD；articleBody 為 3,617 字元。只保存 metadata、faithful summary、claim ledger、主要來源核對結果與 rights boundary，不保存全文、圖片或頁面後續 sponsored 內容。
  • HTTP metadata： BusinessNext status 200；final URL 與 canonical URI 相同；Content-Type: text/html; charset=UTF-8；Cache-Control: max-age=0, must-revalidate, no-cache, no-store, private；本次 response 414,240 bytes，response Date: Mon, 31 Aug 2026 00:53:23 GMT。未保存的本次 HTML response SHA-256 未列入本 record。
  • Saved payloads and SHA-256： 無；僅保存本 wrapper。frontmatter 的 sha256 是本檔 frontmatter 結束後 body 的 SHA-256，未對未保存的 HTML response 宣稱可重現 hash。

Faithful summary

BusinessNext 轉述 SemiAnalysis：3D NAND 透過垂直堆疊增加容量，當層數超過約 300 層，傳統鎢字線可能同時受到電阻、含氟化學前驅體與超高深寬比填孔限制，因此產業開始討論以鉬字線延伸 scaling；「鉬是 300 層以上 NAND 的必要選項」是 SemiAnalysis 的分析判斷，不是本 wiki 的普遍定律。1

文章整理的 Kioxia／Western Digital 2024 VLSI 結果指出，鉬的材料電阻率低於鎢，MoO2Cl2 前驅體不含氟；在最佳化填充條件下，鉬字線漏電失效率可降至鎢的 1/100，同一矽晶粒體積的位元密度可提升 16.3% 以上。Kioxia 官方技術頁也明確指出，鉬填充不良時空洞中的殘留氧仍可能擴散到介電層形成漏電，因此材料轉換不等於良率已解決。1

文章再整理 SemiAnalysis 對供應與設備的估計：鉬在全球 NAND 產能的占比可能從 2025 年中個位數百分比升至 2027 年約 30%；NAND 鉬沉積設備市場 2027 年可能超過 10 億美元，若 DRAM 與邏輯晶片後續導入，2030 年可能達每年約 20 億美元。這些是產業分析估計，不是已觀測的市場統計；Lam Research 官方資料支持 ALTUS Halo 為鉬原子層沉積工具及其對低電阻、填充與先進晶片 scaling 的產品主張，但不獨立驗證 SemiAnalysis 的市場預測。1

文章最後把華鉬（6990）列為較直接的鉬材料題材、翔名（8091）列為具難熔金屬加工能力的間接題材，同時提醒華鉬的半導體級材料仍需試做與客戶驗證，翔名沒有被文章證明與 NAND 字線轉鉬存在直接訂單連結。文中的鉬價、營收、量產層數、公司受惠順位與 NAND 營收數字，均保留為 BusinessNext／受訪者／SemiAnalysis／其他引用來源的 attribution，不作投資或產業結論。1

Primary-source checks during ingest

以下頁面在本次 ingest 中實際讀取，作為 claim tracing 參考；未另存為 raw payload，也沒有把官方頁面全文混入本筆來源擷取：

  • SemiAnalysis X thread：貼文與串文發布於 2026-08-22 UTC，直接提出 300 層以上 NAND 的鎢／鉬判斷、各家層數與導入時程，以及 2025–2027 產能占比與設備市場估計。這是 SemiAnalysis 自身的產業分析，屬其估計的 owning source，不是獨立實驗或市場統計。
  • Lam Research 官方新聞稿：ALTUS Halo：2025-02-19 發布；支持 ALTUS Halo 的鉬 ALD 工具定位、先進 NAND／DRAM／logic scaling 脈絡、目前 qualification／ramping 與 Lam 所稱多數情況電阻改善逾 50%。這些是設備商產品資料與產品方性能主張。
  • Kioxia 官方技術頁：Fluorine-free Word Line Molybdenum Process：2024-09-24 發布；支持鎢的 WF6 殘氟、鉬的低電阻與無氟前驅體、填充不良造成殘留氧與漏電，以及 1/100 漏電、18% WL RC 改善與 16.3% 以上 bit-density 結果。數據來自特定 VLSI 技術結果，不能直接當成所有產品的量產 benchmark。
  • Micron G9 NAND：支持 Micron G9 3D NAND 產品與其產品頁所列的效能／密度定位，但本次頁面沒有直接證明 BusinessNext 所述「2025 年以 ALTUS Halo 大規模量產鉬字線」的全部細節；該部分保留為文章與 SemiAnalysis attribution。

Claim ledger

IDSource claimStatusOwning evidence and boundary
C013D NAND 超過約 300 層後，鎢字線面臨電阻、含氟化學與深孔填充限制；SemiAnalysis 稱鉬是 300 層以上的必要選項。partially-supportedKioxia 官方頁支持鎢字線 scaling、WF6 殘氟與填充限制；「約 300 層」門檻與「必要」是 SemiAnalysis 的產業分析，不由 Kioxia 頁面單獨證明。
C02鉬的電阻率低於鎢，MoO2Cl2 不含氟，且適合改善高深寬比結構的填充。supportedKioxia 官方技術頁與 Lam 官方資料支持材料／製程方向；不代表所有製程條件都得到相同結果。
C03最佳化填充時，鉬字線漏電失效率可為鎢的 1/100，XYZ 微縮後同一矽晶粒體積的 bit density 可提升 16.3% 以上。supportedKioxia 官方頁直接報告特定 VLSI 結果；這是論文／技術展示的實驗邊界，不是跨產品量產 benchmark。
C04鉬填充不良仍會在空洞中留下氧，擴散至介電層而形成漏電通路；良率依賴填充品質。supportedKioxia 官方頁直接說明殘留氧、空洞、介電層與 leakage failure 的關係；不可解讀為鉬必然比鎢低良率。
C05鉬占全球 NAND 產能的比例可能由 2025 年中個位數百分比升至 2027 年約 30%，2027 年 NAND 鉬沉積設備市場超過 10 億美元，2030 年可達每年約 20 億美元。observational這是 SemiAnalysis 的 forecast／市場模型，BusinessNext 轉述；本次沒有獨立市場資料或可重跑模型，不作觀測統計或因果預測。
C06三星 2024 年起量產鉬字線、美光 2025 年以 ALTUS Halo 大規模量產、SK 海力士計畫 2026 年底推出 375 層鉬製程 NAND。partially-supportedSemiAnalysis X thread 直接提出導入時程；Lam 官方資料支持 ALTUS Halo 工具與量產導向，但 Micron G9 頁面未直接驗證全部鉬製程細節，SK 時程仍是計畫。
C07Lam ALTUS Halo 是鉬 ALD 量產導向工具，多數情況相較鎢可改善超過 50% 電阻。supportedLam Research 官方新聞稿支持工具定位與產品方性能主張；「改善超過 50%」不是本 wiki 的獨立設備 benchmark。
C08華鉬（6990）較接近鉬材料題材，翔名（8091）較接近難熔金屬加工／間接題材；兩者均不能由本文直接推成已取得 NAND 鉬字線訂單。partially-supportedBusinessNext 文章明確作此區分；本次未另查公司法說、客戶訂單或半導體級材料驗證，因此不升格為供應鏈事實。
C09鉬換代是 2026 年 NAND 漲價的主因，或鎢將在所有應用中被鉬取代。unresolved文章反而指出鉬不是本輪 NAND 漲價主因，並引述鎢／鉬不可簡化替代的不同意見；本次沒有足夠供需資料與跨應用研究可下因果或全面替代結論。
C10文章引用的全球前五大 NAND 廠 2026 年第二季合計營收與季增數字，可代表整體市場供需。unresolved本次未讀取 TrendForce 原始統計，也未核對文章數字與口徑；保留在來源摘要，不進入 derived knowledge。

Evidence boundary

本記錄支持的最小結論是：截至 2026-08-31 UTC，BusinessNext 對 3D NAND 字線由鎢轉鉬的整理，經 SemiAnalysis、Lam Research、Kioxia 與 Micron 公開頁面核對後，可作為一個 AI 記憶體硬體 scaling 的 source snapshot；可重用的判準是把 材料物性 → 前驅體／填充 → 漏電與 RC → 良率 → 沉積設備 → 量產驗證 分開追蹤。1

本記錄不能證明鉬已在所有 300 層以上 NAND 量產中取代鎢，不能證明 SemiAnalysis 的市場規模／產能預測會實現，不能把 Kioxia 的特定 VLSI 結果直接外推到所有產品，也不能把華鉬、翔名或其他公司列為已取得半導體訂單。未加入 verified；本次有 process-level primary-source checks，但沒有獨立 human verification。

Rights boundary

BusinessNext article is copyrighted. 本次僅保存 metadata、faithful summary、claim ledger、必要的證據核對連結與證據界線；未保存全文、圖片、逐字稿或完整 HTML payload。SemiAnalysis、Lam Research、Kioxia 與 Micron 頁面只作 claim tracing 的連結，不在本筆重製其全文；canonical links 是後續查核入口，來源 ingest 指示不等於取得重製授權。

Footnotes

  1. BusinessNext〈鎢要退位了？300層NAND掀「鉬革命」，三星、SK海力士搶進，台灣鉬概念股有哪些？〉，2026-08-24；canonical URL：https://www.bnext.com.tw/article/91967/molybdenum-nand-concept-stocks。文章列出的核對來源：SemiAnalysis X thread、Lam Research、Kioxia、Micron G9 NAND。 ↩ ↩2 ↩3 ↩4 ↩5

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